MZ-V9S4T0BW
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Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
Características
SDD, capacidad4 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSi
Versión NVMe2.0
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC
Encriptación de hardwareSi
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura7150 MB/s
Velocidad de escritura6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)1350000 IOPS
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Peso y dimensiones
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Peso9 g
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Ficha técnica
Interfaz PCI Express 4.0
Componente para PC
SDD, capacidad 4 TB
NVMe Si
Encriptación de hardware Si
Factor de forma de disco SSD M.2
Tipo de memoria V-NAND TLC
Referencias específicas
ean13 8806095575667
MPN MZ-V9S4T0BW